[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201911157760.2 | 申请日： | 2019-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN112420643A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 陈明发;叶松峯;刘醇鸿;史朝文 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/485;H01L21/768;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 薛恒;王琳 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体结构包含接合在一起的第一半导体管芯及第二半导体管芯。第一半导体管芯包含第一半导体衬底、设置在第一半导体衬底下方的第一内连线结构以及设置在第一内连线结构下方且通过第一内连线结构电耦合到第一半导体衬底的第一接合导体。第二半导体管芯包含第二半导体衬底和设置在第二半导体衬底下方且电耦合到第二半导体衬底的第二内连线结构以及穿透第二半导体衬底且延伸到第二内连线结构中以电耦合到第二内连线结构的半导体穿孔。第一接合导体从第一内连线结构朝向半导体穿孔延伸以将第一半导体管芯电连接到第二半导体管芯。对应于半导体穿孔的第一接合导体小于半导体穿孔。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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