[发明专利]一种碳化硅器件单粒子效应的检测系统及方法有效
| 申请号： | 201911158149.1 | 申请日： | 2019-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN111025110B | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 王贺;于庆奎;曹爽;刘艳秋;汪悦;张红旗;张大宇;梅博;孙毅;李晓亮;吕贺 | 申请（专利权）人： | 中国空间技术研究院 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R31/265;G01R31/303 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 陈鹏 |
| 地址： | 100194 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种碳化硅器件单粒子效应的检测系统及方法。所述检测系统包括：BNC转接装置设置于真空罐之上，计算机分别与高阻表、直流源和第二DB9转接装置连接；高阻表的高压输出High端口与BNC转接装置连接；直流源的电压输出端口与第二DB9转接装置连接；BNC转接装置、第二DB9转接装置和第一DB9转接装置分别与检测装置连接；第一DB9转接装置和高阻表上的仪表输入High端口分别与保护装置连接；高阻表的高压输出Low端口与高阻表上的仪表输入Low端口内部连接；检测装置置于真空罐内，粒子束流通过加速器管道输送至检测装置上的辐照区域。本发明能精确检测出碳化硅器件发生单粒子效应的电压值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 器件 粒子 效应 检测 系统 方法 | ||
【主权项】：
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