[发明专利]发光二极管外延片及其制造方法有效
| 申请号： | 201911159247.7 | 申请日： | 2019-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN110993753B | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 姚振;从颖;董彬忠;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的低温缓冲层、高温缓冲层、N型层、多量子阱层和P型层，所述多量子阱层包括多层周期交替生长的量子阱层和量子垒层，每层所述量子阱层均包括第一子层和生长在所述第一子层上的第二子层，所述第一子层为InGaN层，所述第二子层为掺Si的InN层。通过在第二子层中掺入Si有利于量子阱层中In的富集，使得量子阱层中的自发辐射强度增加、有效能带宽度增大，从而可以降低droop效应，提高二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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