[发明专利]半导体封装结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201911162862.3 | 申请日： | 2019-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN111081653A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 唐伟炜 | 申请（专利权）人： | 合肥速芯微电子有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/48;H01L21/56 |
| 代理公司： | 上海启核知识产权代理有限公司 31339 | 代理人： | 田嘉嘉 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市高新区创*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种半导体封装结构，半导体封装结构包括第一半导体装置，包括第一芯片，第二半导体装置，包括第二芯片，所述第一半导体装置和所述第二半导体装置相对设置；第一绝缘层，覆盖包括所述第一芯片在内的部分所述第一半导体装置和包括所述第二芯片在内的部分所述第二半导体装置，并实现所述第一半导体装置和所述第二半导体装置的隔离和固定；以及第二绝缘层，覆盖所述第一绝缘层。由此，通过第一绝缘层隔离和覆盖相对设置的第一半导体装置和第二半导体装置，并由第二隔离层继续覆盖第一隔离层，可以提高封装产品的耐高压特性，有效防止击穿。相应方法也被披露。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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