[发明专利]改善器件负偏压温度不稳定性的方法和结构在审
| 申请号： | 201911163109.6 | 申请日： | 2019-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN110867378A | 公开（公告）日： | 2020-03-06 |
| 发明（设计）人： | 李润领;李中华 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件制造技术领域，具体涉及改善器件负偏压温度不稳定性的方法和结构。其中，方法包括：提供一基底以及形成于所述基底上的器件；通过ALD工艺，在所述器件上沉积应力薄膜结构，所述应力薄膜结构包括至少一层应力薄膜；进行退火工艺，通过退火工艺增大所述应力薄膜结构对所述器件施加的应力。结构包括：基底以及形成于基底上的器件；通过ALD工艺，形成于氧化薄膜层上的应力薄膜结构，应力薄膜结构包括至少一层应力薄膜。本发明通过ALD工艺，在器件上沉积应力薄膜结构可以减少扩散进入器件栅氧层界面的H原子，能够显著提升器件的NBTI寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 器件 偏压 温度 不稳定性 方法 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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