[发明专利]垂直腔面发射激光器芯片筛选方法及装置有效
| 申请号： | 201911163132.5 | 申请日： | 2019-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN110732503B | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 赖铭智;高逸群;向宇;许聪基;岳光礼 | 申请（专利权）人： | 苏州长瑞光电有限公司 |
| 主分类号： | B07C5/344 | 分类号： | B07C5/344 |
| 代理公司： | 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467 | 代理人： | 杨楠 |
| 地址： | 215024 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种垂直腔面发射激光器芯片筛选方法。该方法包括对垂直腔面发射激光器芯片进行老化筛选的步骤；在所述老化筛选之前，先对垂直腔面发射激光器芯片进行预筛选，具体方法如下：用直流电流脉冲对垂直腔面发射激光器芯片进行循环冲击，并在冲击完成后通过性能测试将失效芯片剔除；所述直流电流脉冲的电流大小为Ith+S，脉冲宽度为50ms～200ms，Ith为所述垂直腔面发射激光器芯片的阈值电流，S的取值范围为20mA～40 mA。本发明还公开了一种垂直腔面发射激光器芯片筛选装置。本发明可有效剔除现有技术难以完全剔除的存在芯片量子阱区域内的黑色线缺陷和氧化层裂纹缺陷的不良芯片，从而大幅降低老化筛选的漏筛率并提高老化筛选的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 发射 激光器 芯片 筛选 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种垂直腔面发射激光器芯片筛选方法，包括对垂直腔面发射激光器芯片进行老化筛选的步骤，以通过性能测试将经过老化处理后的失效芯片剔除；其特征在于，在所述老化筛选之前，先对垂直腔面发射激光器芯片进行预筛选，具体方法如下：用直流电流脉冲对垂直腔面发射激光器芯片进行循环冲击，并在冲击完成后通过性能测试将失效芯片剔除；所述直流电流脉冲的电流大小为Ith+S，脉冲宽度为50ms～200ms，Ith为所述垂直腔面发射激光器芯片的阈值电流，S的取值范围为20mA～40 mA。/n
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