[发明专利]一种源漏接触金属的自对准图形化方法

摘要

本发明公开了一种无掺杂薄膜晶体管的源漏接触金属的自对准图形化方法。该方法通过在衬底上形成的常规栅结构上沉积源漏接触金属层，然后在其上沉积层间介质层，并以接触金属层为停止层对层间介质层平坦化。随后通过回刻技术对层间介质层减薄，在接触区域上方保留层间介质层，将接触区域外的栅侧墙外壁和栅顶部的主栅电极金属层裸露出来，开窗定义源漏区和栅的图形总尺寸，并刻蚀掉其余的层间介质层，并以此作为自对准掩膜，刻蚀掉裸露的金属层。本方法实现了在保护源漏区域的情况下刻蚀掉侧墙和栅顶部的多余的金属。