[发明专利]半导体器件、存储器宏和静态随机存取存储器阵列的布局有效
| 申请号： | 201911165577.7 | 申请日： | 2019-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN111223864B | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 杨智铨;杨昌达;王屏薇 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11 | 分类号： | H01L27/11;G11C11/412 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文公开了用于改进存储器阵列(诸如静态随机存取存储器阵列)的性能的阱拾取区域。示例性集成电路(IC)器件包括：电路区域；第一阱拾取(WPU)区域；第一阱，在电路区域中沿第一方向纵向定向并且延伸到第一WPU区域中，第一阱具有第一导电类型；以及第二阱，在电路区域中沿第一方向纵向延伸并且延伸到第一WPU区域中，第二阱具有不同于第一导电类型的第二导电类型，其中，第一阱具有位于电路区域中的第一部分和位于第一WPU区域中的第二部分，并且第一阱的第二部分的宽度大于沿垂直于第一方向的第二方向的第一阱的第一部分的宽度。本发明的实施例还涉及半导体器件、存储器宏和静态随机存取存储器阵列的布局。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 存储器 静态 随机存取存储器 阵列 布局 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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