[发明专利]一种薄膜晶体管及其制造方法在审
申请号: | 201911166613.1 | 申请日: | 2019-11-25 |
公开(公告)号: | CN111048593A | 公开(公告)日: | 2020-04-21 |
发明(设计)人: | 董波;简锦诚;王海宏;郑帅;文超平 | 申请(专利权)人: | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司;南京中电熊猫平板显示科技有限公司;南京华东电子信息科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;H01L21/336 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 210033 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法,薄膜晶体管包括栅极、覆盖栅极的栅极绝缘膜、位于栅极绝缘膜上且位于栅极上方的金属氧化物半导体层,还包括覆盖在金属氧化物半导体层上的第一绝缘层、与金属氧化物半导体层同层且分别位于金属氧化物半导体层两端接触的第一氧化物导体和第二氧化物导体、位于第一氧化物导体上的源极、位于第二氧化物导体上的漏极以及第二绝缘层,其中第二绝缘层覆盖第一绝缘层、源极、漏极和栅极绝缘膜。本发明第一氧化物导体和第二氧化物导体为金属氧化物半导体未覆盖第一绝缘层导体化形成,第一绝缘层决定沟道的尺寸L1,这样实现了薄膜晶体管的小型化,避免第二绝缘层形成前氧化物半导体材料处理造成第二金属层的氧化。 | ||
搜索关键词: | 一种 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
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