[发明专利]热处理方法及热处理装置在审
| 申请号： | 201911167490.3 | 申请日： | 2019-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN111383951A | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 野崎仁秀;上野智宏 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 陈甜甜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种能够确认形成在衬底表面的薄膜的膜种类及膜厚的热处理方法及热处理装置。将针对形成有多种膜种类及膜厚的薄膜的硅衬底通过模拟所求出的多个理论反射率与膜种类及膜厚建立关联地预先注册于数据库。将收容着构成批次的多个半导体晶圆的载具搬入到热处理装置。对半导体晶圆的表面照射光而测定反射率。根据所获取的实测反射率推算半导体晶圆的理论反射率。从注册于数据库的多个理论反射率提取与半导体晶圆的理论反射率近似的理论反射率，特定出形成在半导体晶圆表面的薄膜的膜种类及膜厚。基于所特定出的薄膜的膜种类及膜厚，决定半导体晶圆的处理条件。 | ||
| 搜索关键词： | 热处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
