[发明专利]阵列基板及其制备方法在审
| 申请号： | 201911167550.1 | 申请日： | 2019-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN111048523A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 胡泉;李松杉 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 何辉 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种阵列基板及其制备方法，该阵列基板包括在衬底上依次层叠设置栅极层、栅极绝缘层、有源层、沟道保护层、刻蚀阻挡层、以及源漏极层，其中，有源层包括沟道区和掺杂区，沟道保护层设置于沟道区上；通过在有源层的沟道区上方设置沟道保护层，利用沟道保护层良好的物理特性和化学特性，可以大幅度减少沟道区界面的缺陷，同时防止水或氧气进入薄膜晶体管，从而改善了阵列基板的电性能，进而改善了对显示面板的驱动效果，改善了显示器件的发光特性。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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