[发明专利]一种钛基亚氧化钛电极的制备方法在审

专利信息
申请号: 201911169514.9 申请日: 2019-11-26
公开(公告)号: CN110937664A 公开(公告)日: 2020-03-31
发明(设计)人: 杨学兵;陈威;郭炜 申请(专利权)人: 江西省科学院应用物理研究所
主分类号: C02F1/461 分类号: C02F1/461;C02F1/467;C02F101/30
代理公司: 南昌市平凡知识产权代理事务所 36122 代理人: 姚伯川
地址: 330012 江西*** 国省代码: 江西;36
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摘要: 一种钛基亚氧化钛电极的制备方法,所述方法采用溅射法在钛基底上制备二氧化钛层,再将二氧化钛层还原为亚氧化钛层,制得亚氧化钛电极;所述方法步骤如下:(1)钛片的表面清洁;(2)钛基TiO2层电极的制备;(3)钛基Ti4O7层电极的制备。本发明方法制备Ti4O7层电极的工艺步骤简单,易于实现;制备的Ti4O7层的均匀性较好,通过调节工艺参数控制制备工艺,工艺稳定性较高,工艺重复性好。通过降解模拟有机废水,测试制备的钛基亚氧化钛电极的电化学氧化活性,测试结果表明,制备的钛基亚氧化钛电极具有较高的电化学氧化活性。
搜索关键词: 一种 钛基亚 氧化 电极 制备 方法
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