[发明专利]一种极紫外光刻胶放气污染测试系统有效
| 申请号： | 201911171642.7 | 申请日： | 2019-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN110879198B | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 谢婉露;吴晓斌;王魁波;罗艳;张罗莎;王宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G01N17/00 | 分类号： | G01N17/00;G01N21/55;G01N33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种极紫外光辐照致光刻胶放气污染测试系统，该系统包括极紫外光源腔室、光收集腔室、污染样品测试腔室，其中：极紫外光源腔室，用于发出辐照光；光收集腔室，用于将极紫外光源腔室发出的辐照光线反射聚焦进入污染样品测试腔室内；污染样品测试腔室，用于在光收集腔室传入的辐照光线的作用下，实现光刻胶受到极紫外光辐照时放气污染特性对系统部件性能影响的测试。本发明提供的极紫外光辐照致光刻胶放气污染测试系统，结构简单，操作方便，不仅可以研究极紫外光刻胶放气特性还可用于光刻胶放气污染对系统部件性能的影响，从而可以更好的评估光刻胶的污染特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 紫外 光刻 放气 污染 测试 系统 | ||
【主权项】：
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