[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 201911171930.2 | 申请日： | 2019-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN112951901A | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 林鑫成;周政伟 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/423;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 赵平;周永君 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体结构，包含：衬底、于衬底上的栅极结构、以及于此栅极结构的两侧的源极结构及漏极结构，此栅极结构包含设置于衬底上的栅极电极以及于栅极电极上的栅极金属层，此栅极金属层至少具有一缺口，且缺口露出下方的栅极电极，此源极结构的电位与栅极结构的电位不同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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