[发明专利]一种改善SADP中奇偶效应的工艺方法

摘要

本发明提供一种改善SADP中奇偶效应的工艺方法，按照光刻胶图形刻蚀第一氮化硅层至含碳氧化硅层，形成顶部有一层氧化物的芯轴结构；在芯轴结构的顶部和侧壁覆盖一层多晶硅，形成侧墙；去除芯轴结构顶部和侧墙之间的多晶硅至露出顶部氧化硅和侧墙之间的含碳氧化硅为止；去除该氧化硅；去除多晶硅侧墙内的芯轴结构，并以剩余的多晶硅侧墙为掩膜刻蚀含碳氧化硅层、第二氮化硅层以及第一氧化硅层形成沟槽。本发明从改变工艺膜层性质的角度出发，充分利用湿法刻蚀中DHF试剂对不同氧化层的刻蚀速率不同，而干法刻蚀中SIN对氧化层的刻蚀选择比基本不随着氧化层材料的不同而发生显著变化的特性，用含碳氧化硅代替传统的氧化硅层，解决了SIN芯轴结构的SADP工艺流程中的深度奇偶效应问题。

主权项

1.一种改善SADP中奇偶效应的工艺方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：/n步骤一、形成叠层结构，该叠层结构从上至下依次为：光刻胶、含硅抗反射层、有机介电质层，无定型硅层，第一氮化硅层、含碳氧化硅层、第二氮化硅层、第一氧化硅层；/n步骤二、将所述光刻胶形成光刻胶图形，按照所述光刻胶图形刻蚀第一氮化硅层至所述含碳氧化硅层为止，形成芯轴结构；所述芯轴结构的顶部在刻蚀后形成一层氧化硅；/n步骤三、在所述芯轴结构的顶部和侧壁覆盖一层多晶硅，覆盖在所述芯轴结构侧壁的多晶硅形成多晶硅侧墙；/n步骤四、去除所述芯轴结构顶部以及侧墙之间的多晶硅至露出该芯轴结构顶部的所述氧化硅以及侧墙之间的含碳氧化硅层为止；/n步骤五、去除所述芯轴结构顶部的所述氧化硅；/n步骤六、去除所述多晶硅侧墙内的所述芯轴结构，并以剩余的所述多晶硅侧墙为掩膜刻蚀所述含碳氧化硅层、第二氮化硅层以及第一氧化硅层形成沟槽。/n