[发明专利]一种正向晶格失配三结太阳电池在审
申请号: | 201911174304.9 | 申请日: | 2019-11-26 |
公开(公告)号: | CN111092127A | 公开(公告)日: | 2020-05-01 |
发明(设计)人: | 刘如彬;孙强;张启明;张恒;唐悦 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十八研究所 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0304;H01L31/0687 |
代理公司: | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 | 代理人: | 蒙建军 |
地址: | 300384 天津市滨海*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: |
本发明公开了一种正向晶格失配三结太阳电池,属于太阳电池技术领域,其特征在于,自下而上依次包括锗衬底、Ga |
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搜索关键词: | 一种 正向 晶格 失配 太阳电池 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的