[发明专利]一种金属催化外延生长石墨烯的制备方法在审
申请号: | 201911174649.4 | 申请日: | 2019-11-26 |
公开(公告)号: | CN110745816A | 公开(公告)日: | 2020-02-04 |
发明(设计)人: | 滕妍 | 申请(专利权)人: | 滕妍 |
主分类号: | C01B32/186 | 分类号: | C01B32/186 |
代理公司: | 43207 长沙智德知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 段芳萼 |
地址: | 200000 上海市闵行区江*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种金属催化外延生长石墨烯的制备方法,包括,步骤一:将密封容器内部物质完全抽取,使得密封容器内部处于超高真空状态,步骤二:将密封容器内部放置过渡金属基底,步骤三:将碳氢化合物输送至到密封容器中,使得碳氢化合物输送至过渡金属基底表面,步骤四:接着对密封容器加热,加热温度为30‑180℃,步骤五:密制容易加热过程中,容器内部通过加热使吸附气体催化脱氢从而利得石墨烯;本发明可有效的提高了石墨烯的制备效率,通过金属催化使得石墨烯可在密封容器内持续、均匀、大面积的生长,极大的减少了特征环境的需求,降低了制备时的繁琐、步骤,同时可通过通过化学腐蚀去掉金属基底,节省了人力物力。 | ||
搜索关键词: | 密封容器 石墨烯 制备 加热 碳氢化合物 过渡金属 金属催化 超高真空状态 催化脱氢 化学腐蚀 基底表面 加热过程 人力物力 容器内部 特征环境 外延生长 吸附气体 金属基 基底 抽取 生长 | ||
【主权项】:
1.一种金属催化外延生长石墨烯的制备方法,包括,/n步骤一:将密封容器内部物质完全抽取,使得密封容器内部处于超高真空状态;/n步骤二:将密封容器内部放置过渡金属基底;/n步骤三:将碳氢化合物输送至到密封容器中,使得碳氢化合物输送至过渡金属基底表面;/n步骤四:接着对密封容器加热,加热温度为30-180℃;/n步骤五:密制容易加热过程中,容器内部通过加热使吸附气体催化脱氢从而利得石墨烯;/n步骤六:将容器打开,将长满于石墨烯的金属基底上取出;/n步骤七:通过化学腐蚀去掉金属基底,得到石墨烯。/n
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