[发明专利]一种金属催化外延生长石墨烯的制备方法在审

专利信息
申请号: 201911174649.4 申请日: 2019-11-26
公开(公告)号: CN110745816A 公开(公告)日: 2020-02-04
发明(设计)人: 滕妍 申请(专利权)人: 滕妍
主分类号: C01B32/186 分类号: C01B32/186
代理公司: 43207 长沙智德知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人: 段芳萼
地址: 200000 上海市闵行区江*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种金属催化外延生长石墨烯的制备方法,包括,步骤一:将密封容器内部物质完全抽取,使得密封容器内部处于超高真空状态,步骤二:将密封容器内部放置过渡金属基底,步骤三:将碳氢化合物输送至到密封容器中,使得碳氢化合物输送至过渡金属基底表面,步骤四:接着对密封容器加热,加热温度为30‑180℃,步骤五:密制容易加热过程中,容器内部通过加热使吸附气体催化脱氢从而利得石墨烯;本发明可有效的提高了石墨烯的制备效率,通过金属催化使得石墨烯可在密封容器内持续、均匀、大面积的生长,极大的减少了特征环境的需求,降低了制备时的繁琐、步骤,同时可通过通过化学腐蚀去掉金属基底,节省了人力物力。
搜索关键词: 密封容器 石墨烯 制备 加热 碳氢化合物 过渡金属 金属催化 超高真空状态 催化脱氢 化学腐蚀 基底表面 加热过程 人力物力 容器内部 特征环境 外延生长 吸附气体 金属基 基底 抽取 生长
【主权项】:
1.一种金属催化外延生长石墨烯的制备方法,包括,/n步骤一:将密封容器内部物质完全抽取,使得密封容器内部处于超高真空状态;/n步骤二:将密封容器内部放置过渡金属基底;/n步骤三:将碳氢化合物输送至到密封容器中,使得碳氢化合物输送至过渡金属基底表面;/n步骤四:接着对密封容器加热,加热温度为30-180℃;/n步骤五:密制容易加热过程中,容器内部通过加热使吸附气体催化脱氢从而利得石墨烯;/n步骤六:将容器打开,将长满于石墨烯的金属基底上取出;/n步骤七:通过化学腐蚀去掉金属基底,得到石墨烯。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于滕妍,未经滕妍许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201911174649.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top