[发明专利]一种二氧化硅纳米孔道膜修饰玻碳电极及制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 201911175207.1 申请日: 2019-11-26
公开(公告)号: CN110940715B 公开(公告)日: 2022-06-10
发明(设计)人: 陈洁;唐卫中;罗涛;刘燕;刘军杰;赵昌;陈苗 申请(专利权)人: 广西医科大学附属肿瘤医院
主分类号: G01N27/30 分类号: G01N27/30;G01N27/327;G01N27/48;B82Y15/00;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 代理人: 韩聪
地址: 530021 广西壮*** 国省代码: 广西;45
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摘要: 发明公开了一种二氧化硅纳米孔道膜修饰玻碳电极及制备方法和应用。所述制备方法包括:(1)对玻碳电极进行电化学活化,制备电化学活化的玻碳电极;(2)在电化学活化的玻碳电极上制备二氧化硅纳米孔道薄膜,制得所述的二氧化硅纳米孔道膜修饰玻碳电极。本发明以电化学活化法对玻碳电极进行预处理,首次实现了玻碳电极上二氧化硅纳米孔道膜的稳定结合,同时提高对检测物的响应信号和电位分辨能力。本发明提供的二氧化硅纳米孔道膜修饰玻碳电极制备方法简单、对有机电化学小分子响应灵敏、电位分辨能力高,结合二氧化硅纳米孔道的预富集和防玷污、抗干扰能力,在复杂样品中多类活性组分的直接、高灵敏电化学检测方面具有巨大的应用前景。
搜索关键词: 一种 二氧化硅 纳米 孔道 修饰 电极 制备 方法 应用
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