[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201911175349.8 | 申请日： | 2019-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN112864310B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 刘盼盼;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H10N50/10 | 分类号： | H10N50/10;H10N50/01;H10B61/00 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成介电层；在所述介电层上形成刻蚀阻挡层；在所述刻蚀阻挡层和介电层中形成露出所述基底的导电通孔；在所述导电通孔和所述刻蚀阻挡层上形成导电材料层；以所述刻蚀阻挡层作为停止层，对所述导电材料层进行第一平坦化处理；去除所述刻蚀阻挡层；去除所述刻蚀阻挡层后，去除高于所述介电层的导电材料层，位于导电通孔内的剩余导电材料层作为导电插塞；在所述介电层和导电插塞上形成电极层；在所述电极层上形成磁性隧道结的叠层结构。本发明实施例有利于提高磁性隧道结(Magnetic tunnel junction，MTJ)的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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