[发明专利]一种具有择优取向的Ga2

摘要

一种具有择优取向的Ga2O3和SnO2混相膜的制备方法是将Ga2O3粉末和SnO2粉末与碳粉末按比例混合并研磨，获得固体混合粉末，并以此为反应源，将基片和反应源置于高温管式炉中，利用化学气相沉积法，通过热碳还原Ga2O3和SnO2提供Ga源和Sn源，以氧气为氧源，惰性气体为载气，在一定的反应源温度、基片温度、生长压力、沉积时间、载气和氧气比例下，在基片上获得具有择优取向的Ga2O3和SnO2混相膜，本方法实现了Ga2O3和SnO2均具有单一的择优取向，而且工艺简单，设备低廉，在紫外探测、透明导电氧化物、高功率器件、发光二极管、紫外探测、薄膜晶体管、气体传感器和磁性半导体等领域具有潜在的应用。