[发明专利]基于磁光效应的D型光子晶体光纤多参量SPR传感器在审

专利信息
申请号: 201911178130.3 申请日: 2019-11-27
公开(公告)号: CN110823841A 公开(公告)日: 2020-02-21
发明(设计)人: 肖功利;张开富;杨宏艳;杨秀华;杨寓婷;李海鸥;张法碧;傅涛;李琦;刘兴鹏;陈永和;孙堂友 申请(专利权)人: 桂林电子科技大学
主分类号: G01N21/552 分类号: G01N21/552;G01N21/41;G01R33/032;G01K11/32
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 541004 广西*** 国省代码: 广西;45
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种基于磁光效应的D型光子晶体光纤多参量SPR传感器。所述D型光子晶体光纤传感器包括具有平面壁和曲面侧壁的多模光子晶体光纤,其横截面呈D形,在所述D型侧面上具有传感层,纤芯右侧对称的空气孔填充有温敏介质,纤芯下方空气孔填充有磁光介质。本发明在D形光子晶体光纤侧抛表面镀有一层金薄膜,作为传感层,实现高灵敏度的SPR折射率传感器,温敏介质由甲苯构成,实现温度传感,磁光介质由Fe3O4构成,实现磁场传感。本发明的优点是:克服了传统光纤传感器传感参数单一的不足,实现了温度、磁场、折射率三参量的实时测量。另外D型结构的设计减小了传感层与纤芯的距离,有利于与样品的强相互作用,进而实现了高达57900nm/RIU的超高传感灵敏度。该传感器设计新颖,体积小,集成度高,在未来实现光电子集成器件及多功能传感检测领域具有重要的应用前景。
搜索关键词: 基于 磁光效应 光子 晶体 光纤 参量 spr 传感器
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桂林电子科技大学,未经桂林电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201911178130.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top