[发明专利]一种半导体存储器用高纯纳米钨粉的制备方法有效
| 申请号： | 201911178951.7 | 申请日： | 2019-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN111014723B | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 曲鹏;丁照崇;李勇军;滕海涛;庞欣;张延宾;曹晓萌;李利利;冯昭伟;顾晓倩 | 申请（专利权）人： | 有研亿金新材料有限公司;有研亿金新材料（山东）有限公司 |
| 主分类号： | B22F9/26 | 分类号： | B22F9/26 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 张文宝 |
| 地址： | 102200*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了属于钨粉末冶金技术领域的一种半导体存储器用高纯纳米钨粉的制备方法。该方法包括以下步骤：(1)向纯化的钨酸铵溶液中加入盐酸，得到钨酸浆液；(2)以氯化钯为催化剂，向步骤(1)所得钨酸浆液中通入氢气进行液相氢还原反应，制得高纯纳米钨粉。利用本发明方法制备的高纯纳米钨粉，有利于高纯钨靶的致密化烧结成型，同时可以显著降低其烧结温度，从而获得组织细小均匀、晶粒取向随机的高纯钨靶材；所得高纯纳米钨粉可以满足半导体存储器行业的使用要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 存储 器用 高纯 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
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