[发明专利]主动清洁真空系统和方法在审
| 申请号： | 201911179696.8 | 申请日： | 2019-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN111690984A | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 理查德·D·韦伯;约翰·A·里斯;布莱恩·M·雷普曼;乔尔·C·斯特福 | 申请（专利权）人： | 林顿晶体技术公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/00;B08B9/047 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 王达佐;王艳春 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用于硅晶体生长的真空系统包括硅晶体生长室、第一真空管、第二真空管和氧化物容器。第一真空管联接至所述室并且在内部具有第一刷，第一刷在第一方向上是可移动的，以去除内部氧化物。第二真空管联接至第一真空管，以经由第一刷接收内部氧化物，并且第二真空管在内部具有第二刷，第二刷在不同于第一方向的第二方向上是可移动的。第二刷远离第一真空管地传输所接收的内部氧化物。氧化物容器联接至第二真空管，以经由第二刷接收内部氧化物。 | ||
| 搜索关键词： | 主动 清洁 真空 系统 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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