[发明专利]碳化硅外延层及其刻蚀方法、碳化硅器件

摘要

本发明公开了一种碳化硅外延层及其刻蚀方法、碳化硅器件，所述刻蚀方法包括：在碳化硅外延层上形成设定刻蚀图形的掩膜；采用刻蚀气体对碳化硅外延层进行刻蚀处理；其中，刻蚀气体为与碳化硅外延层发生反应后会产生聚合物的气体；聚合物附着在掩膜中设定刻蚀图形的底部和侧壁上。本发明通过包含氯气、氩气和溴化氢的刻蚀气体对碳化硅外延层进行刻蚀处理，反应过程中产生的聚合物附着在掩膜中刻蚀图形的底部和侧壁上使得侧壁和拐角得到了保护，减弱了反应离子对刻蚀图形拐角处的刻蚀，有效地防止了微沟道在刻蚀图形处形成，提高了碳化硅器件的可靠性。