[发明专利]一种基片加热系统有效
申请号: | 201911182234.1 | 申请日: | 2019-11-27 |
公开(公告)号: | CN110867403B | 公开(公告)日: | 2022-06-14 |
发明(设计)人: | 郭艳;李明;吴得轶;成秋云;朱辉 | 申请(专利权)人: | 湖南红太阳光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/673 |
代理公司: | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人: | 戴玲 |
地址: | 410205 湖南省*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明公开了一种基片加热系统,包括基片承载舟和快速加热装置,所述基片承载舟由多个舟片并排布置,相邻两个舟片之间具有舟片间隙,所述舟片用于装载基片,所述快速加热装置包括多列铠装电加热丝,每列铠装电加热丝对应一个舟片间隙,各列铠装电加热丝插入对应的舟片间隙内。本发明首次提出通过设置与基片承载舟的舟片间隙匹配的快速加热装置,直接在基片承载舟内部快速加热,大幅提升了基片承载舟和基片的升温速率,既保证了基片承载舟整体受热均匀性,又减少了工艺过程中的升温时间,进而缩短单次工艺时间,有效提升了单台设备的产能和整舟的基片薄膜颜色外观及膜厚的一致性。 | ||
搜索关键词: | 一种 加热 系统 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造