[发明专利]半导体元件及其制造方法在审
| 申请号： | 201911182387.6 | 申请日： | 2019-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN112864116A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 李书铭;刘嘉鸿;欧阳自明 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 罗英;刘芳 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施方式提供一种半导体元件及其制造方法。半导体元件包括具有多个有源区域的衬底、形成于衬底上的至少一介电层、位于介电层中并连接至有源区域的多个接触窗。所述接触窗是桶状结构(barrel‑shaped structure)，具有一中段部(middle portion)、周长比中段部的周长小的顶部(head portion)和周长比中段部的所述周长小的底部(end portion)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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