[发明专利]一种氧化钼纳米片封堵中空介孔硅纳米材料及其制备和应用有效
| 申请号： | 201911182579.7 | 申请日： | 2019-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN110917172B | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 朱利民;李昱;吴建荣;杨延波;牛世伟;张雪静;谢晓田 | 申请（专利权）人： | 东华大学 |
| 主分类号： | A61K9/51 | 分类号： | A61K9/51;A61K47/02;A61K47/04;A61K47/24;A61K47/10;A61K31/704;A61K41/00;A61P35/00 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所(普通合伙) 31233 | 代理人： | 黄志达 |
| 地址： | 201620 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种氧化钼纳米片封堵中空介孔硅纳米材料及其制备和应用，通过聚乙二醇修饰的二硬脂酰磷脂酰乙醇胺mPEG‑DSPE修饰的氧化钼MoO |
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| 搜索关键词： | 一种 氧化钼 纳米 封堵 中空 介孔硅 材料 及其 制备 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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