[发明专利]用于降低多层铜互连阻挡层CMP缺陷的碱性抛光液及其制备方法有效
| 申请号： | 201911184055.1 | 申请日： | 2019-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN111004579B | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 罗翀;王辰伟;徐奕;宋国强;刘玉岭;檀柏梅 | 申请（专利权）人： | 河北工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;C09G1/02 |
| 代理公司： | 天津市三利专利商标代理有限公司 12107 | 代理人： | 杨欢 |
| 地址： | 300000 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明属于抛光液领域，具体涉及一种用于降低多层铜互连阻挡层CMP缺陷的碱性抛光液及其制备方法。抛光液由下述组分组成，按质量份百分比计：硅溶胶5‑20％，螯合剂0.1‑5％，表面活性剂0.001‑5％，氧化剂0.001‑10％，去离子水余量；其中，所述的表面活性剂为非离子活性剂和阴离子活性剂进行复配获得。本发明抛光液呈碱性，pH为7.5‑11，不腐蚀设备，不污染环境。本发明使用纳米SiO2溶胶作为抛光液磨料，其浓度高，分散度好、硬度小。本发明由硅溶胶、螯合剂、表面活性剂、助溶剂、氧化剂和去离子水组成，成分简单，稳定性好，价格便宜。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 降低 多层 互连 阻挡 cmp 缺陷 碱性 抛光 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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