[发明专利]一种含埋层结构的碳化硅PiN二极管有效
| 申请号： | 201911187102.8 | 申请日： | 2019-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN110854208B | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 张有润;王帅;罗佳敏;钟炜;罗茂久 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L29/16;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种含埋层结构的碳化硅PiN二极管，包括从下至上依次设置的阴极、N型碳化硅衬底、N型碳化硅外延层、P型区和金属阳极，N型碳化硅外延层内还设置有N型埋层和/或P型埋层，N型埋层位于N型碳化硅衬底上方，用于增强N型碳化硅衬底与N型碳化硅外延层边界处的电场；P型埋层位于P型区下方，用于增强P型区与N型碳化硅外延层边界处的电场。本发明通过引入P型埋层增强P型区与N型碳化硅外延层边界处的电场，通过引入N型埋层增强N型碳化硅衬底与N型碳化硅外延层边界处的电场，增强了电导调制的效果，提高了碳化硅PiN二极管正向导通电流，提高了碳化硅PiN二极管的正向导通性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 含埋层 结构 碳化硅 pin 二极管 | ||
【主权项】：
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