[发明专利]一种具有非对称限制层的VCSEL及其制作方法在审
| 申请号： | 201911187963.6 | 申请日： | 2019-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN110854677A | 公开（公告）日： | 2020-02-28 |
| 发明（设计）人： | 田宇;杜石磊;韩效亚;李峰柱;吴真龙 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/323 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361001 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有非对称限制层的VCSEL及其制作方法，VCSEL包括衬底，以及自下而上依次层叠于所述衬底上的N型DBR层、N型限制层、有源区、P型限制层、氧化层和P型DBR层；所述N型限制层包括多层自下而上依次设置的第一AlGaAs层，所述P型限制层包括多层自下而上依次设置的第二AlGaAs层；多层所述第一AlGaAs层的Al组分随厚度升高呈波动的阶梯分布，多层所述第二AlGaAs层的Al组分随厚度升高呈波动的阶梯分布，所述N型限制层与所述P型限制层互为非对称结构。电子和空穴被有效限制在有源区，辐射复合高；并且能够改变光场分布，降低光吸收和光散射，提高增益。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 对称 限制 vcsel 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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