[发明专利]一种提高键合晶圆质量的方法在审
| 申请号： | 201911189676.9 | 申请日： | 2019-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN110880453A | 公开（公告）日： | 2020-03-13 |
| 发明（设计）人： | 程禹;李彦庆;陈艳明;张耀庚;方小磊;赵东旭 | 申请（专利权）人： | 长春长光圆辰微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L21/66 |
| 代理公司： | 长春市吉利专利事务所 22206 | 代理人： | 李晓莉 |
| 地址： | 130033 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种提高键合晶圆质量的方法，属于半导体制造领域，包括：1)在键合机台内的预对准单元加装非接触式厚度测量模块，其与键合机台的控制器通讯连接；2)采用已知厚度的晶圆对键合机台的底部吸盘位置进行初始化；3)在晶圆到达预对准单元进行预对准时，非接触式厚度测量模块通过双探头对射式测量方法对晶圆厚度进行测量，得到晶圆厚度信息，并将晶圆厚度信息反馈给键合机台的控制器；4)键合机台的控制器根据其接收到的晶圆厚度信息计算底部吸盘的高度；5)键合机台的控制器根据计算所得底部吸盘的高度重新调整电机位置，完成键合。本发明提供了一种提高键合晶圆质量的方法，实现晶圆厚度的在线测量，进而对晶圆间距离的精确调整。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 键合晶圆 质量 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长春长光圆辰微电子技术有限公司，未经长春长光圆辰微电子技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911189676.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：高效节能研磨机
- 下一篇：基于模型预测控制的建筑物温度控制方法及系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
