[发明专利]集成电路的顶层铜工艺结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201911192523.X | 申请日： | 2019-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN111312689B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 陈东华;张富伟;袁智琦;王莎莎 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成电路的顶层铜工艺结构，顶层铜通过大马士革工艺形成于顶层层间膜中。顶层铜和顶层层间膜的表面依次形成有掺碳氮化硅层和阻障层，阻障层的防水性大于掺碳氮化硅层的防水性。在阻障层的表面形成有顶部结构，顶部结构中包括采用SiH4基反应气体形成的第一氧化层或第一氮化层。阻障层位于顶部结构的底部作为防止第一氧化层或第一氮化层中的活性氢和水汽扩散到顶层层间膜及以下的前层结构中的阻挡结构。本发明还公开了一种集成电路的顶层铜工艺结构的制造方法。本发明能防止活性氢和水汽扩散到顶层层间膜及以下的前层结构中，从而能提高产品器件的电性、良率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 顶层 工艺 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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