[发明专利]一种铋酸铜薄膜的制备方法

摘要

本发明属于光电极材料技术领域，特别涉及一种铋酸铜薄膜的制备方法，本发明利用磁控溅射法，在真空度为4~8x10‑4 Pa的反应腔内，通入氧气和氩气的混合气体，通过射频直流电源分别对铜靶施加5‑40w的功率，铋靶施加15w的功率，形成等离子体，氩气的分压为0.75~0.85Pa，O2分压为0.15~0.25Pa，沉积时间为10~20min，沉积完成后，在550~650℃下在空气中退火15~25分钟。本发明制备方法简单，并且得到的薄膜表面平整，致密度高，并且此方法对制备覆盖面积大的薄膜十分有利，因此该方法可广泛用于工业生产。本发明通过对靶材施加功率的大小，来改变薄膜的结构组成以及光学带隙，从而得到带隙合适的的材料。该方法同样适用于通过磁控溅射法制备其他三元金属氧化物。