[发明专利]一种碳化硅沟槽型MOSFET器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201911193562.1 | 申请日： | 2019-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN111081778A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 温正欣;张新河;杨安丽;陈施施;叶怀宇;张国旗 | 申请（专利权）人： | 深圳第三代半导体研究院 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/16 |
| 代理公司： | 北京中知法苑知识产权代理有限公司 11226 | 代理人： | 阎冬 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅沟槽型MOSFET器件及制备方法。其主要结构包括一N+型碳化硅衬底1，其上方依次为一N‑型漂移区2、P型基区3、N+型源区4。N+型碳化硅衬底1的下部有一漏电极10，N‑型外延层的顶部有一倒梯形深沟槽，包含栅介质层6和栅电极7。深沟槽将P型基区3和N+型源区4均分割为两部分。器件利用碳化硅{0‑33‑8}面系具有最高的沟道载流子迁移率的特性，通过引入倒梯形深沟槽结构，提高器件的导通特性。借助沟槽刻蚀后注入基区，在阻断状态下保护V型深沟槽栅介质层，提高器件的阻断特性，利用碳化硅不同晶面上氧化速率不同特性，较为便捷的实现沟槽侧壁栅介质层较薄，底部栅介质层较厚的结构，使器件同时具备合理的阈值电压和较高的阻断电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 沟槽 mosfet 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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