[发明专利]高电压集成电路及其半导体结构有效
| 申请号： | 201911197731.9 | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN112448711B | 公开（公告）日： | 2023-09-08 |
| 发明（设计）人： | 韦维克;陈柏安;张育麒 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0175 | 分类号： | H03K19/0175;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 周晓飞;许曼 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种高电压集成电路及其半导体结构，其中该半导体结构包括一衬底，衬底有依序相邻的高电压N型井区、N型井区及高电压P型井区。P型掺杂隔离区域位于N型井区将N型井区隔离出第一井区与第二井区，第二井区与高电压N型井区相邻。高电压P型晶体管，设置在高电压N型井区上，高电压P型晶体管有栅极、漏极以及源极，源极接收一操作高电压。N型晶体管有一栅极形成在N型井区及高电压P型井区的交界区域上；漏极形成在N型井区上与高电压P型晶体管的漏极连接；及源极形成在高电压P型井区上。电压箝制元件连接在高电压P型晶体管的漏极与源极之间。分压元件，连接在高电压P型晶体管的漏极到接地电压之间，提供一分压给N型晶体管的栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 集成电路 及其 半导体 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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