[发明专利]半导体结构及其制备工艺、电子装置在审
| 申请号： | 201911198020.3 | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN112885792A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 庄凌艺 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/367;H01L23/552;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 阚梓瑄;孙宝海 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开提出一种半导体结构及其制备工艺、电子装置。半导体结构包括芯片以及绝缘层。芯片具有相对设置的第一表面和第二表面以及侧面，第一表面为芯片的功能面，第二表面呈非平面状结构，以使第二表面的表面积大于第一表面的表面积。绝缘层形成并包覆于芯片的第二表面和侧面。通过上述设计，本公开使得芯片第二表面的表面积增大，从而增大芯片的散热面积，进而进一步优化芯片和整个半导体结构的散热效果。本公开还能利用绝缘层增强芯片与其他层叠结构之间的粘结牢固程度，进而提升半导体结构的结构强度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 工艺 电子 装置 | ||
【主权项】：
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