[发明专利]一种实现金属与P型GaN之间低阻欧姆接触的方法在审
| 申请号： | 201911198532.X | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN110890274A | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 顾晓峰;田媛;陈雷雷;闫大为 | 申请（专利权）人： | 江南大学 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人： | 彭素琴 |
| 地址： | 214000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种实现金属与P型GaN之间低阻欧姆接触的方法，属于半导体器件制造技术领域。该方法在p‑GaN外延片表面淀积金属电极之前，采用氟等离子体处理的方法对其表面进行处理，处理后再淀积金属电极，利用氟极强的电负性，修复p‑GaN表面的界面态，使费米能级退钉扎，在后续淀积工艺中实现金属与p‑GaN的良好欧姆接触。通过测量可知，采用该方法制备的p‑GaN材料能实现约10 |
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| 搜索关键词： | 一种 实现 金属 gan 之间 欧姆 接触 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
