[发明专利]一种EBL直写高精度第三代半导体的方法有效
| 申请号： | 201911198744.8 | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN111029248B | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 邹贵付;戴晓;汪潇涵;蒋怡宁;高亮 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/004;G03F7/20 |
| 代理公司： | 苏州根号专利代理事务所(普通合伙) 32276 | 代理人： | 仇波 |
| 地址： | 215137 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种EBL直写高精度第三代半导体的方法，包括如下步骤：(a)将金属盐和水溶性聚合物聚乙烯亚胺溶于水中，进行络合反应，经超滤得到第一溶液；(b)将麦芽糖加入第一溶液中，搅拌得到前驱体溶液；(c)将前驱体溶液旋涂于导电基底上，随后将导电基底置于EBL舱内，进行EBL直写；用水清洗导电基底，除去未固化部分，再在反应性气体中退火，得到所需要半导体的结构。本发明不仅省去了紫外光刻与反应束离子刻蚀等繁琐的工艺，还为纳米结构器件的制备节省了一定的时间；同时本发明能够实现不同半导体的图案化，其直写的微纳尺度图案能够完全显示清楚、且尺寸与预设的尺寸一致，并能够直写出最小线宽约30nm高精度的各种半导体纳米线。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ebl 高精度 第三代 半导体 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
