[发明专利]半导体结构的制备方法

摘要

本发明涉及一种半导体结构的制备方法，包括以下步骤：提供晶圆，晶圆限定有第一区域和第二区域，第一区域内形成有完整芯片，第二区域内形成有残缺芯片；在第一区域和第二区域上形成叠层结构，在第一区域上的叠层结构内形成电容孔；在电容孔表面及叠层结构的表面形成第一电极层；通过在第一电极层上形成开口去除电容孔之间的牺牲层。整个制作过程中仅去除晶圆上完整芯片内的牺牲层，而位于第一区域外的其他芯片区域内牺牲层则不会被去除，避免了其他芯片区域中不完整的芯片中出现不接触底部支撑层的电容，因此不容易出现坍塌且脱落的缺陷，也不会在刻蚀腔中飘散，减少出现飘散的缺陷导致其他完整的芯片出现缺陷的情况，提高良率。