[发明专利]一种提高产品良率的LED芯片制备方法有效
| 申请号： | 201911201871.9 | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN112885934B | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 徐晓强;王梦雪;吴向龙;闫宝华;王成新 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 济南诚智商标专利事务所有限公司 37105 | 代理人： | 黄晓燕 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： |
本发明实施例公开了一种提高产品良率的LED芯片制备方法，包括步骤：制作GaAs外延片；在所述GaAs外延片上制作光刻胶掩膜图形，腐蚀GaP形成裸露区域；在所述裸露区域上沉积一层SiO |
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| 搜索关键词： | 一种 提高 产品 led 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
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