[发明专利]单晶炉有效
| 申请号： | 201911202308.3 | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN110760935B | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 刘彬国;黄旭光;王玉龙 | 申请（专利权）人： | 晶澳太阳能有限公司;晶海洋半导体材料（东海）有限公司 |
| 主分类号： | C30B35/00 | 分类号： | C30B35/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人： | 徐颖聪 |
| 地址： | 055550 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供一种单晶炉，单晶炉包括：炉体，所述炉体顶端形成有进气孔，且所述炉体的侧壁上形成有排气孔；坩埚，所述坩埚置于所述炉体中部位并与所述进气口相对应；加热器，所述加热器沿所述坩埚外周设置，用于对所述坩埚进行加热，其中，所述排气孔在高度方向上位于所述加热器中上部以上。本发明通过缩短炉内气流排出行程，有效控制熔硅液面上方的气体乱流，减少硅蒸汽和炉内石墨部件产生的化学反应，增加了石墨部件的寿命，降低了成本，也增强单晶炉的稳定性，提升成晶率，同时硅蒸汽的及时排出，降低了单晶硅的碳和氧含量，提升单晶硅的品质。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶炉 | ||
【主权项】：
1.一种单晶炉，其特征在于，包括：/n炉体，所述炉体顶端形成有进气孔，且所述炉体的侧壁上形成有排气孔；/n坩埚，所述坩埚置于所述炉体中部位并与所述进气口相对应；/n加热器，所述加热器沿所述坩埚外周设置，用于对所述坩埚进行加热；/n其中，所述排气孔在高度方向上位于所述坩埚底部以上。/n
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