[发明专利]一种三维存储器及其制作方法有效
| 申请号： | 201911202324.2 | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN111312820B | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 洪培真;李春龙;霍宗亮;邹兴奇;张瑜 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H10B51/30;H10B51/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 温可睿 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请提供一种铁电场效应晶体管、三维存储器及其制作方法，所述铁电场效应管和三维铁电存储器的结构，均包括铁电材料，采用铁电材料的极化状态表示数据。由于极化翻转具有极高的速度，可以在几个纳秒内完成，因此，本发明提供的场效应晶体管或三维存储器能够实现很快的速度；同时由于极化翻转所需的电压很低，不需要电荷泵等外围电路的辅助，因此，铁电场效应管和三维铁电存储器具有更低的能耗。另外，与现有技术中的闪存和DRAM等存储器基于电荷进行存储的原理不同，本发明提供的三维存储器依靠极化进行存储，具有更强的抗辐射能力，并且能够提高铁电存储器的存储密度，解决当前三维存储器的操作电压高以及反复擦写能力低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 存储器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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