[发明专利]一种碳化硅基晶圆的加工方法有效
| 申请号： | 201911202638.2 | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN111029301B | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 陈为彬;林志东;吴垚鑫;程江涛 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;B23K26/38;B23K26/402 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭;陈淑娴 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅基晶圆的加工方法，对于含有背面金属层的碳化硅基晶圆，首先采用第一激光从晶圆背面入射其背面金属层并沿切割轨迹行进，以切断对应切割轨迹的位置的金属，然后采用第二激光从晶圆正面入射晶圆内部并沿切割轨迹行进，以于晶圆内部形成改质层，再根据切割轨迹劈裂晶圆，将晶圆分成若干单颗芯粒，对晶圆进行扩片处理，使芯粒相互分离。本发明采用增加背面镭射切割的方式，保证了晶圆分成单颗芯粒时不会受背面金属影响，不产生双晶，提高了分片效率和良率。本发明的方法工序简单，耗时短，成本低，易于操作和控制，适于实际生产应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 基晶圆 加工 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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