[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201911203882.0 | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN112885714B | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 王伟;苏波;孙林林;何其暘 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/306;H01L21/3065;H01L21/308;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上形成有第一核心层、以及位于第一核心层上的第一掩膜层，第一掩膜层中形成有露出第一核心层的开口；形成覆盖第一掩膜层的第二核心层，第二核心层还填充满开口；形成贯穿第二核心层、第一掩膜层和第一核心层的第一沟槽，第一沟槽的侧壁暴露出开口中的第二核心层；在第一沟槽的侧壁上形成侧墙层；以侧墙层为掩膜，刻蚀去除第二核心层以及开口位置下方的第一核心层，形成贯穿第一核心层的第二沟槽，第二沟槽和第一沟槽之间被侧墙层隔离。本发明在第一掩膜层的保护作用下，增大了形成第二沟槽的工艺窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
