[发明专利]一种IGBT器件有效
| 申请号： | 201911204531.1 | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN112885900B | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 龚轶;刘伟;刘磊;毛振东;王鑫 | 申请（专利权）人： | 苏州东微半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市苏州工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供的一种IGBT器件，包括MOSFET单元阵列，每个MOSFET单元包括：位于n型漂移区顶部的p型体区，位于p型体区内的n型发射极区，位于p型体区之上栅介质层、栅极和n型浮栅，栅极位于栅介质层之上且靠近n型发射极区的一侧，n型浮栅位于栅介质层之上且靠近n型漂移区的一侧，栅极通过电容耦合作用于n型浮栅；至少有一个MOSFET单元的n型浮栅通过栅介质层与p型体区隔离，且至少有一个MOSFET单元的n型浮栅通过一个位于该n型浮栅下方的栅介质层中的开口与p型体区接触形成p‑n结二极管。本发明可以方便的调节IGBT器件的反向恢复速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 器件 | ||
【主权项】：
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