[发明专利]一种低杂质的铸造多晶和铸锭单晶用免喷坩埚及其制备方法有效
| 申请号： | 201911207980.1 | 申请日： | 2019-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN110803943B | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 张学日;钟德京;陶能松;习小青;黄蓉帅 | 申请（专利权）人： | 中材江苏太阳能新材料有限公司 |
| 主分类号： | C04B41/87 | 分类号： | C04B41/87;C30B35/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 连云港润知专利代理事务所 32255 | 代理人： | 王彦明 |
| 地址： | 222000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种低杂质的铸造多晶和铸锭单晶用免喷坩埚及其制备方法，在基体内表面对应液线以上区域涂覆有氮化硅涂层Ⅰ，对应硅液线以下区域及坩埚底部涂覆有氮化硅涂层Ⅱ。氮化硅涂层Ⅰ为四层结构，其基底层为硬质强化氮化硅涂层，中间为缓冲层，表面为硬质保护层。缓冲层的存在，使得硅液线区域可以更好的抵御坩埚的收缩。表面光滑硬质层可提供抵御硅液冲刷的能力，保证隔绝强度，中间缓冲层可减少坩埚收缩对表面硬质涂层的影响、最大限度减少表面涂层开裂情况，底部基体层提供了良好的涂层附着力。本发明侧重氮化硅涂层硬质技术，以此实现更少的粉底材料、减少硅锭杂质含量及减少硅锭位错等缺陷，大幅度改善硅锭脱模效果，减少硅锭粘埚现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 杂质 铸造 多晶 铸锭 单晶用免喷 坩埚 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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