[发明专利]半导体器件及其制造方法及包括该半导体器件的电子设备有效
| 申请号： | 201911209907.8 | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN111106176B | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 公开了一种半导体器件及其制造方法以及包括这种半导体器件的电子设备。根据实施例，半导体器件包括沟道部、在沟道部的相对两侧与沟道部相接的源/漏部以及与沟道部相交的栅堆叠。沟道部包括沿相对于衬底的竖直方向延伸的第一部分以及沿相对于衬底的横向方向从第一部分分别向着相对两侧延伸的第二部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 包括 电子设备 | ||
【主权项】：
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