[发明专利]一种多晶硅还原炉电极及其制作方法在审
申请号: | 201911210120.3 | 申请日: | 2019-11-28 |
公开(公告)号: | CN110759346A | 公开(公告)日: | 2020-02-07 |
发明(设计)人: | 叶云;黄仁忠;朱晖朝;文魁;谢迎春;黄健;王枫 | 申请(专利权)人: | 广东省新材料研究所 |
主分类号: | C01B33/035 | 分类号: | C01B33/035;C23C4/08;C23C4/10;C23C4/11;C23C4/134 |
代理公司: | 44202 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人: | 颜希文 |
地址: | 510000 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种多晶硅还原炉电极,包括上电极体和下电极体,所述上电极体与石墨座锥孔配合,所述上电极体和下电极体通过凸出连接部连接,所述凸出连接部的直径均大于下电极体和上电极体;所述上电极体的外表面设有导电涂层;所述凸出连接部的外表面设有复合绝缘层,所述复合绝缘层包括过渡金属层和陶瓷绝缘层;所述过渡金属层设于凸出连接部外表面;所述陶瓷绝缘层设于过渡金属层远离凸出连接部的表面上。本发明所述多晶硅还原炉电极通过在凸出连接部的外表面设置过渡金属层,提高了陶瓷绝缘层和电极体的附着力和使用寿命。本发明还公开了所述多晶硅还原炉电极的制作方法,该制作方法制得的电极中涂层和电极体结合强度高,具有较高的使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 电极体 凸出连接部 过渡金属层 电极 多晶硅还原炉 陶瓷绝缘层 下电极体 复合绝缘层 使用寿命 附着力 导电涂层 石墨 制作 锥孔 配合 | ||
【主权项】:
1.一种多晶硅还原炉电极,其特征在于,包括上电极体和下电极体,所述上电极体与石墨座锥孔配合,所述上电极体和下电极体通过凸出连接部连接,所述凸出连接部的直径均大于下电极体和上电极体;所述上电极体的外表面设有导电涂层;所述凸出连接部的外表面设有复合绝缘层,所述复合绝缘层包括过渡金属层和陶瓷绝缘层;所述过渡金属层设于凸出连接部外表面;所述陶瓷绝缘层设于过渡金属层远离凸出连接部的表面上。/n
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