[发明专利]R-T-B系永磁体的制造方法有效
| 申请号： | 201911211377.0 | 申请日： | 2019-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN111261352B | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 坪仓多惠子;增田健;村瀬琢 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01F1/057 | 分类号： | H01F1/057;H01F41/02 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;王磊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | R‑T‑B系永磁体的制造方法具有使扩散材料附着于磁铁基材的表面，并将附着了扩散材料的磁铁基材进行加热的扩散工序，磁铁基材含有稀土元素R、过渡金属元素T和硼B，至少一部分R为Nd，至少一部分T为Fe，扩散材料含有第一成分、第二成分和第三成分，第一成分为Tb的单体和Dy的单体中的至少一种，第二成分为含有Nd和Pr中至少一种且不含Tb和Dy的金属，第三成分为选自铜的单质、含有铜的合金和铜的化合物中的至少一种。或者，第一成分为Tb的氢化物和Dy的氢化物中至少一种，第二成分为Nd的氢化物和Pr的氢化物中的至少一种。 | ||
| 搜索关键词： | 永磁体 制造 方法 | ||
【主权项】：
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