[发明专利]长波长GaInNAs/InGaAs复合量子点垂直腔面发射激光器在审
| 申请号： | 201911212035.0 | 申请日： | 2019-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN110768104A | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 黄珊珊;黄辉廉;文宏;叶旺;刘建庆 | 申请（专利权）人： | 中山德华芯片技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/30 |
| 代理公司： | 44245 广州市华学知识产权代理有限公司 | 代理人： | 冯炳辉 |
| 地址： | 528437 广东省中山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种长波长GaInNAs/InGaAs复合量子点垂直腔面发射激光器，包括n型GaAs衬底，n型GaAs衬底上表面由下至上依次设置有n型GaAs缓冲层、n型DBR、非掺杂量子点有源层和p型DBR，在p型DBR上制备有上电极，在n型GaAs衬底的下表面制备有下电极；非掺杂量子点有源层由非掺杂GaInNAs/InGaAs复合量子点和非掺杂GaAs势垒层混合而成，非掺杂GaInNAs/InGaAs复合量子点的内部为呈3D岛状结构的GaInNAs量子点，外部为InGaAs包覆层，通过调整InGaAs包覆层中的铟的含量来缓冲GaInNAs量子点与非掺杂GaAs势垒层间由晶格常数差异导致的应力，通过调整GaInNAs量子点中的氮及铟的含量来控制激光器的发射波长达到1.31至1.55μm。本发明具有更低的阈值电流、更窄的光谱线宽、更高的功率输出等特性。 | ||
| 搜索关键词： | 非掺杂 量子点 复合量子点 包覆层 势垒层 衬底 源层 制备 光谱线 垂直腔面发射激光器 晶格常数差异 衬底上表面 控制激光器 岛状结构 发射波长 功率输出 依次设置 阈值电流 电极 长波长 下表面 下电极 缓冲 与非 掺杂 外部 | ||
【主权项】：
1.长波长GaInNAs/InGaAs复合量子点垂直腔面发射激光器，包括GaAs衬底，其特征在于：所述GaAs衬底为n型单晶片，即n型GaAs衬底，在所述n型GaAs衬底上表面按照层状叠加结构由下至上依次设置有n型GaAs缓冲层、n型DBR、非掺杂量子点有源层和p型DBR，在所述p型DBR上制备有上电极，在所述n型GaAs衬底的下表面制备有下电极；其中，所述非掺杂量子点有源层由非掺杂GaInNAs/InGaAs复合量子点和非掺杂GaAs势垒层混合而成，所述非掺杂GaInNAs/InGaAs复合量子点区分有内、外两部分，其内部为呈3D岛状结构的GaInNAs量子点，其外部为InGaAs包覆层，所述InGaAs包覆层包覆GaInNAs量子点，通过调整InGaAs包覆层中的铟的含量来缓冲GaInNAs量子点与非掺杂GaAs势垒层间由晶格常数差异导致的应力，通过调整GaInNAs量子点中的氮及铟的含量来控制激光器的发射波长达到1.31至1.55μm。/n
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